Hg1-xCdxTe中雜質(zhì)對及雙空位深能級的研究

以A.Kobayashi等的半經(jīng)驗緊束縛模型和Hjalmarson-Vogh-Wolford-Dow深能級理論為基礎(chǔ),計算了Hg1-xCdxTe中陽離子位替代式雜質(zhì)(包括N,O,C)與最近鄰替代式雜質(zhì)形成sp3鍵雜質(zhì)對后陽離子位雜質(zhì)A1對稱性深能級的變化以及最近鄰理想雙空位(Vc,Va)的深能級.計算結(jié)果表明:陽離子位雜質(zhì)A1能級的變化取決于與其配對雜質(zhì)的電負性,雜質(zhì)對a1能級組分依賴關(guān)系dE/dx小于陽離子位單雜質(zhì)A1能級的dE/dx,大于陰離子位單雜質(zhì)T2能級的dE/dx,不同雜質(zhì)對的dE/dx基本相同;理想雙空位(Vc,Va)在能隙或近能隙區(qū)域產(chǎn)生一個a1態(tài)深能級,該能級的dE/dx很小,對于CdTe,位置在0.5eV,對于x＜0.37的Hg1-xCdxTe,該能級成為導帶共振態(tài).

作 者： 劉曉華 介萬奇 劉俊誠 Liu Xiaohua Jie Wanqi Liu Juncheng   作者單位： 西北工業(yè)大學凝固技術(shù)國家重點實驗室,西安,710072  刊 名： 航空學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA AERONAUTICA ET ASTRONAUTICA SINICA  年，卷(期)： 1998 ""(1)  分類號： V252.2  關(guān)鍵詞： Hg1-xCdxTe   深能級   雜質(zhì)對   雙空位  

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