光電耦合器位移損傷效應研究

文章針對光電耦合器在空間輻射應用中的位移損傷效應,選取了一種典型的光電耦合器4N25進行了1MeV高能電子輻照試驗,獲得了輻照后器件電流傳輸比參數(shù)(CTR)的退化與電子注量的關(guān)系:在試驗注量范圍(1.3×1012～1.5×1013cm-2)內(nèi),nCTR與電子通量成反比.通過位移損傷對器件及材料作用過程的分析,探討了光電耦合器位移損傷效應作用機理.

作 者： 馮展祖 楊生勝 王云飛 高欣 王健 Feng Zhanzu Yang Shengsheng Wang Yunfei Gao Xin Wang Jian   作者單位： 蘭州物理研究所,真空低溫技術(shù)與物理國家重點實驗室,蘭州,730000  刊 名： 航天器環(huán)境工程  ISTIC 英文刊名： SPACECRAFT ENVIRONMENT ENGINEERING  年，卷(期)： 2009 26(2)  分類號： V416.5 TN366  關(guān)鍵詞： 光電耦合器   位移損傷   輻射效應  

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