基片及基片溫度對(duì)Fe4N薄膜的形成及其特性的影響

以雙離子束濺射法在(111)硅片和玻璃上分別制得了單一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片溫度對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和磁性能的影響.結(jié)果表明,以(111)硅片為基片,可制得無(wú)晶粒擇優(yōu)取向的單一γ1-Fe4N相;而以玻璃為基片,在基片溫度為160℃時(shí),則可制得具有(100)面晶粒取向的單一γ1-Fe4N相薄膜;與無(wú)晶粒擇優(yōu)取向的γ1-Fe4N相比較,具有(100)面晶粒取向的γ1-Fe4N相的矯頑力較低,易達(dá)到磁飽和,但二者的飽和磁化強(qiáng)度基本一致.

作 者： 諸葛蘭劍 姚偉國(guó) 吳雪梅 王文寶   作者單位： 諸葛蘭劍,王文寶(蘇州大學(xué),分析測(cè)試中心,江蘇,蘇州,215006)

姚偉國(guó),吳雪梅(蘇州大學(xué),物理系,江蘇,蘇州,215006) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(5)  分類號(hào)： O484  關(guān)鍵詞： 雙離子束濺射   基片   γ1-Fe4N薄膜   晶粒取向  

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