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含納米硅和納米鍺的氧化硅薄膜光致發光的比較研究?
分別以硅-二氧化硅和鍺-二氧化硅復合靶作為濺射靶，采用磁控濺射技術在p型硅襯底上淀積了含納米硅的氧化硅薄膜和含納米鍺的氧化硅薄膜.各樣品分別在氮氣氛中經過300至1100℃不同溫度的退火處理.使用高分辨透射電子顯微鏡可以觀察到經900和1100℃退火的含納米硅的氧化硅薄膜中的納米硅粒，和經900和1100℃退火的含納米鍺的氧化硅薄膜中的納米鍺粒.經過不同溫度退火處理的含納米硅的氧化硅和含納米鍺的氧化硅薄膜的光致發光譜均具有相似的峰型，且它們的發光峰位均位于580nm(2.1eV)附近.可以認為含納米硅的氧化硅和含納米鍺的氧化硅薄膜的光發射主要來自于SiO2層中發光中心上的復合發光，對實驗結果進行了合理的解釋.
秦國剛,尤力平(北京大學物理系,)
王印月(蘭州大學物理科學與技術學院,)
刊 名： 物理學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2001 50(8) 分類號： O4 關鍵詞： 光致發光 納米硅 納米鍺 發光中心【含納米硅和納米鍺的氧化硅薄膜光致發光的比較研究?】相關文章：
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