分子束外延生長ZnSe自組織量子點光、電行為研究?

分別應用光致發光、電容-電壓和深能級瞬態傅里葉譜技術詳細研究ZnSe自組織量子點樣品的光學和電學行為.光致發光溫度關系表明ZnSe量子點的光致發光熱猝火過程機理.兩步猝火過程的理論較好模擬和解釋了相關的實驗數據.電容-電壓測量表明樣品表觀載流子積累峰出現的深度(樣品表面下約100nm處)大約是ZnSe量子點層的位置.深能級瞬態傅里葉譜獲得的ZnSe量子點電子基態能級位置為ZnSe導帶下的0.11eV,這與ZnSe量子點光致發光熱猝火模型得到的結果一致.

作 者： 盧勵吾 王占國 C.L.Yang J.Wang Z.H.Ma I.K.Sou Weikun Ge   作者單位： 盧勵吾,王占國(中國科學院半導體研究所半導體材料科學開放實驗室,北京,100083)

C.L.Yang,J.Wang,Z.H.Ma,I.K.Sou,Weikun Ge(香港科技大學物理系，香港九龍清水灣) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(2)  分類號： O4  關鍵詞： Ⅱ-Ⅵ半導體,自組織量子點,光、電特性  

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