磁控共濺射GaAs/SiO2細小納米顆粒鑲嵌材料的結構和非線性光學性質?

應用磁控共濺射技術和后退火方法制備了GaAs/SiO2納米顆粒鑲嵌薄膜,并分別應用原子力顯微鏡、X射線衍射和盧瑟福背散射實驗來觀測薄膜的形貌、相結構和化學組分.結果表明GaAs納米顆粒的平均直徑很小(約為1.5～3.2nm),且均勻地分布于SiO2之中,薄膜中的GaAs和SiO2組分都符合化學計量關系.應用脈沖激光高斯光束對薄膜的光學非線性進行了Z掃描測試和分析.結果表明,薄膜的三階光學非線性折射率系數和非線性吸收系數都由于量子限制效應而大大地增強,在非共振條件下,它們分別約為4×10-12m2/W和2×10-5m/W,在準共振的條件下,它們分別約為2×10-11m2/W和-1×10-4m/W.

作 者： 丁瑞欽 王浩 佘衛龍 丘志仁 羅莉 W.Y.Cheung S.P.Wong Ding Ruiqin Wang Hao SHE Weilong QIU Zhiren Luo Li W.Y.Cheung S.P.Wong   作者單位： 丁瑞欽,王浩,Ding Ruiqin,Wang Hao(五邑大學薄膜與納米材料研究所,江門,529020)

佘衛龍,丘志仁,羅莉,SHE Weilong,QIU Zhiren,Luo Li(中山大學超快速激光光譜國家重點實驗室,廣州,510275)

W.Y.Cheung,S.P.Wong,W.Y.Cheung,S.P.Wong(香港中文大學電子工程系和材料科學與工程研究中心,香港) 

刊 名： 半導體學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS  年，卷(期)： 2002 23(3)  分類號： O482.3  關鍵詞： 磁控共濺射   GaAs納米顆粒   微觀結構   光學非線性   magnetron co-sputtering   GaAs nanogranula   microstructure   optical nonlinearity  

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