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分子束外延生長液晶光閥用ZnSxSe1-x薄膜的研究

時間:2023-04-27 08:49:37 數理化學論文 我要投稿
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分子束外延生長液晶光閥用ZnSxSe1-x薄膜的研究

描述了ZnSxSe1-x光盲紫外液晶光閥的結構和工作原理,并從器件的電學模型出發,著重討論了整體器件對ZnSxSe1-x光敏層的特殊要求.采用分子束外延技術在ITO導電玻璃上制備了具有(111)面定向生長結構的ZnSxSe1-x多晶薄膜,通過控制反應時的生長參數,制備出了符合器件設計要求的光敏層薄膜.室溫下,該薄膜的紫外/可見光響應對比度大于103;響應波長截止邊可通過控制薄膜中的Se組分,在(360~410)nm范圍內連續可調;薄膜的暗電阻率在(4.32 × 109~2.03×1011)Ω@m之間,并隨著晶粒的增大而減小;在液晶光閥工作的低頻段(<200Hz),其光/暗阻抗比在0.22~0.36之間.

分子束外延生長液晶光閥用ZnSxSe1-x薄膜的研究

作 者: 沈大可 Sou.I.K 韓高榮 杜丕一 闕端林   作者單位: 沈大可(浙江大學硅材料國家重點實驗室,杭州,310027;香港科技大學物理系,香港九龍清水灣)

Sou.I.K(香港科技大學物理系,香港九龍清水灣)

韓高榮,杜丕一,闕端林(浙江大學硅材料國家重點實驗室,杭州,310027) 

刊 名: 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名: VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年,卷(期): 2002 22(6)  分類號: O434.2 TN204  關鍵詞: 分子束外延   紫外液晶光閥   ZnSxSe1-x光敏層   ITO導電玻璃   光電特性  

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