非摻雜GaN的黃光發射模型確定

提出了一種新的光譜——吸收歸一化光致發光激發譜,并用這種光譜研究了非摻雜GaN的黃光發射.實驗上首次直接測量出了黃光發射的初始態的共振吸收峰位,從而解決了長期爭論的有關黃光發射的發光模型問題.

作 者： 賴天樹 林位株 莫黨   作者單位： 中山大學超快速激光光譜學國家重點實驗室,物理系,廣州,510275  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(5)  分類號： O4  關鍵詞： GaN薄膜   黃光發射   吸收歸一化光致發光激發譜  

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