啞鈴形碳化硅晶須生長的機理

研究了仿生啞鈴形碳化硅晶須的生長機理.發現組成仿生晶須的念珠狀小球與直桿狀碳化硅晶須的生成過程是相對獨立的.而且念珠狀小球在直桿狀晶須上的生長位置是一定的.首先.直桿狀碳化硅晶須在反應空間中生成:然后由Si、SiO、SiO2等組成的非晶態物質在直桿狀晶須上的缺陷位置沉積長大.形成包裹在晶須上的念珠狀小球.念珠狀小球不僅可以在制備碳化硅晶須的過程中生成.而且能夠在已有的碳化硅和鈦酸鉀等晶須上生成.

作 者： 白朔 成會明 蘇革 魏永良 沈祖洪 周本濂   作者單位： 中國科學院金屬研究所  刊 名： 材料研究學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH  年，卷(期)： 2002 16(2)  分類號： O784  關鍵詞： SiC   晶須   仿生   生長機理  

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