啞鈴形碳化硅晶須生長(zhǎng)的機(jī)理

研究了仿生啞鈴形碳化硅晶須的生長(zhǎng)機(jī)理.發(fā)現(xiàn)組成仿生晶須的念珠狀小球與直桿狀碳化硅晶須的生成過(guò)程是相對(duì)獨(dú)立的.而且念珠狀小球在直桿狀晶須上的生長(zhǎng)位置是一定的.首先.直桿狀碳化硅晶須在反應(yīng)空間中生成:然后由Si、SiO、SiO2等組成的非晶態(tài)物質(zhì)在直桿狀晶須上的缺陷位置沉積長(zhǎng)大.形成包裹在晶須上的念珠狀小球.念珠狀小球不僅可以在制備碳化硅晶須的過(guò)程中生成.而且能夠在已有的碳化硅和鈦酸鉀等晶須上生成.

作 者： 白朔 成會(huì)明 蘇革 魏永良 沈祖洪 周本濂   作者單位： 中國(guó)科學(xué)院金屬研究所  刊 名： 材料研究學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH  年，卷(期)： 2002 16(2)  分類號(hào)： O784  關(guān)鍵詞： SiC   晶須   仿生   生長(zhǎng)機(jī)理  

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