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中國800 MeV電子儲存環的頭尾不穩定性研究

時間:2023-05-01 16:13:59 數理化學論文 我要投稿
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中國800 MeV電子儲存環的頭尾不穩定性研究

從理論上和實驗上論證了我國800 MeV電子儲存環的頭尾不穩定性閾值流強比國內外同類加速器高出近百倍的原因.指出這是由于真空室中清除電極產生的八極矩分量使得粒子自由振蕩頻率有一個分散性,提供了足夠的朗道阻尼的結果.

中國800 MeV電子儲存環的頭尾不穩定性研究

作 者: 陳龍康 王筠華 孫葆根 金玉明   作者單位: 陳龍康(深圳大學理學院,深圳518060)

王筠華,孫葆根,金玉明(中國科技大學國家同步輻射實驗室,合肥230029) 

刊 名: 深圳大學學報(理工版)  ISTIC EI PKU 英文刊名: JOURNAL OF SHENZHEN UNIVERSITY (SCIENCE & ENGINEERING)  年,卷(期): 2003 20(4)  分類號: O572.211 TL501  關鍵詞: 頭尾不穩定性   清除電極   頻率散度  

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