鐵磁性納米線陣列的偏差對磁性的影響

用蒙特卡洛方法對納米線陣列磁滯回線進(jìn)行模擬,研究了納米線排列、長度和直徑的偏差對納米線陣列整體磁學(xué)性質(zhì)的影響.研究結(jié)果表明,納米線位置的標(biāo)準(zhǔn)偏差引起了矯頑力和磁化率降低;長度的標(biāo)準(zhǔn)偏差則僅僅引起飽和磁化強(qiáng)度的增大和剩余磁化強(qiáng)度的減小,而對矯頑力沒有影響;直徑的的標(biāo)準(zhǔn)偏差對納米線陣列產(chǎn)生了比較復(fù)雜的影響.

作 者： 郭艷蕊 嚴(yán)慧羽 宋慶功 陳逸飛 GUO Yan-rui YAN Hui-yu SONG Qing-gong CHEN Yi-fei   作者單位： 中國民航大學(xué)理學(xué)院,天津,300300  刊 名： 中國民航大學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC 英文刊名： JOURNAL OF CIVIL AVIATION UNIVERSITY OF CHINA  年，卷(期)： 2009 27(6)  分類號： O488  關(guān)鍵詞： 納米線陣列   蒙特卡洛方法   磁滯回線  

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