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含單負材料的光子晶體的缺陷模和透射譜
用傳輸矩陣法分析了由2類單負材料組成的含缺陷一維光子晶體的缺陷模及透射譜.結果表明:當缺陷為一層單負材料時,零有效相位帶隙中出現(xiàn)2個缺陷模,且缺陷模的頻率可通過缺陷層的厚度和2種單負材料的厚度比來調節(jié).當缺陷為1組單負磁導率材料和單負介電材料組成的雙缺陷時,通過選取合適的參數(shù)滿足平均磁導率和平均介電常數(shù)都為零時,帶隙中未出現(xiàn)缺陷模,而且?guī)挶３植蛔?帶邊電場也隨著雙缺陷厚度的增加而被強烈的局域.
作 者： 黃永清 HUANG Yong-qing 作者單位： 江西中醫(yī)藥高等專科學校公共與社科部,江西,撫州,344000 刊 名： 江西科學 ISTIC 英文刊名： JIANGXI SCIENCE 年，卷(期)： 2009 27(6) 分類號： O431.1 關鍵詞： 光子晶體 單負材料 缺陷模 傳輸矩陣法【含單負材料的光子晶體的缺陷模和透射譜】相關文章：
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