生長條件和退火對金剛石薄膜光學性質的影響

提出一種分析微波等離子體化學氣相沉積工藝條件對金剛石薄膜的組成和光學性質影響的方法.采用紅外橢圓偏振光譜儀來分析Si襯底上金剛石薄膜的組成和光學性質,研究微波等離子體化學氣相沉積法生長條件和退火工藝對金剛石薄膜的消光系數和折射率的影響.實驗表明金剛石薄膜中存在C-H、C=C、O-H和C=O鍵,生長條件對薄膜中C-H和C=C鍵的含量及薄膜的折射率影響較大;薄膜經過退火后薄膜的光學性質得到明顯改善.

作 者： 馬哲國 夏義本 王林軍 方志軍 張偉麗 張明龍   作者單位： 上海大學材料科學與工程學院,上海,201800  刊 名： 光學學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA OPTICA SINICA  年，卷(期)： 2003 23(8)  分類號： O484.1  關鍵詞： 薄膜光學   微波等離子體化學氣相沉積   金剛石薄膜   光學性質   紅外橢圓偏振光譜  

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