SiC功率金屬-半導體場效應管的陷阱效應模型

針對4H-SiC射頻大功率MESFET,建立了一個解析的陷阱效應模型,該模型采用簡化參數(shù)描述方法,并結合自熱效應分析,從理論上完善了SiC MESFET大信號直流I-V特性的解析模型,且避免了數(shù)值方法模擬陷阱效應的巨大計算量.

作 者： 楊林安 張義門 于春利 張玉明   作者單位： 西安電子科技大學微電子研究所,西安,710071  刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2003 52(2)  分類號： O4  關鍵詞： 碳化硅   陷阱效應   金屬-半導體場效應晶體管   深能級陷阱   界面態(tài)  

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