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He注入單晶Si表面形貌的變化研究
沿Si的(100)面注入He離子, 能量為30 keV、劑量為5×1016 ions/cm2. 注入后樣品切成幾塊, 在真空爐中分別做退火處理, 退火溫度從600 ℃到1 000 ℃, 退火時間均為30 min. 利用原子力顯微鏡研究了各個樣品表面形貌的演化. 發(fā)現(xiàn)樣品表面形貌與退火溫度相關(guān)聯(lián). 假設(shè)在氣泡中He原子與空位的比值很高, 導(dǎo)致樣品內(nèi)部存在高壓的He泡, 從而使樣品表面形貌發(fā)生變化. 探討了在Si中He泡隨退火溫度的演化和He原子在材料中的釋放機制及其對表面的影響.
張崇宏,ZHANG Chong-hong(中國科學院近代物理研究所,甘肅,蘭州,730000)
刊 名： 原子核物理評論 ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW 年，卷(期)： 2008 25(2) 分類號： O613.72 關(guān)鍵詞： 單晶Si 離子注入 He泡 原子力顯微鏡 表面形貌【He注入單晶Si表面形貌的變化研究】相關(guān)文章：
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