He注入單晶Si表面形貌的變化研究

沿Si的(100)面注入He離子, 能量為30 keV、劑量為5×1016 ions/cm2. 注入后樣品切成幾塊, 在真空爐中分別做退火處理, 退火溫度從600 ℃到1 000 ℃, 退火時間均為30 min. 利用原子力顯微鏡研究了各個樣品表面形貌的演化. 發現樣品表面形貌與退火溫度相關聯. 假設在氣泡中He原子與空位的比值很高, 導致樣品內部存在高壓的He泡, 從而使樣品表面形貌發生變化. 探討了在Si中He泡隨退火溫度的演化和He原子在材料中的釋放機制及其對表面的影響.

作 者： 李炳生 張崇宏 楊義濤 周麗宏 LI Bing-sheng ZHANG Chong-hong YANG Yi-tao ZHOU Li-hong   作者單位： 李炳生,楊義濤,周麗宏,LI Bing-sheng,YANG Yi-tao,ZHOU Li-hong(中國科學院近代物理研究所,甘肅,蘭州,730000;中國科學院研究生院,北京,100049)

張崇宏,ZHANG Chong-hong(中國科學院近代物理研究所,甘肅,蘭州,730000) 

刊 名： 原子核物理評論  ISTIC PKU 英文刊名： NUCLEAR PHYSICS REVIEW  年，卷(期)： 2008 25(2)  分類號： O613.72  關鍵詞： 單晶Si   離子注入   He泡   原子力顯微鏡   表面形貌  

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