液滴噴射技術(shù)在全聚合物薄膜晶體管制備中的應(yīng)用

研究液滴噴射技術(shù)在全聚合物薄膜晶體管制備中的應(yīng)用,并著重分析電極材料在預(yù)成型基底表面的沉積擴(kuò)散情況.通過數(shù)值模擬,分析隔斷材料、液滴與隔斷間距、液滴碰撞速度3個因素對沉積的影響.結(jié)果發(fā)現(xiàn).只有當(dāng)這3個要素配置合理時.才能保證液滴的正常沉積,從而保證晶體管的質(zhì)量.例如,當(dāng)隔斷材料采用聚酰亞胺,溝道寬度為5 μm.液滴與隔斷間距為30 μm.液滴碰撞速度為4 m/s時.液滴能夠正常沉積.晶體管的質(zhì)量得到保證.本文結(jié)果可為TFTs的制作提供一定的參考.

作 者： 劉趙淼 劉華敏 張譚 LIU Zhaomiao LIU Huamin ZHANG Tan   作者單位： 北京工業(yè)大學(xué)機(jī)械工程與應(yīng)用電子技術(shù)學(xué)院,北京,100022  刊 名： 科技導(dǎo)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： SCIENCE & TECHNOLOGY REVIEW  年，卷(期)： 2008 26(13)  分類號： O351.2  關(guān)鍵詞： 液滴噴射   晶體管   薄膜沉積   數(shù)值模擬  

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