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熱傳導型半導體器件的二次元特征有限體積元方法及分析: H1模估計

時間:2023-04-26 20:58:59 數理化學論文 我要投稿
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熱傳導型半導體器件的二次元特征有限體積元方法及分析: H1模估計

該文構造了熱傳導型半導體器件的全離散特征有限體積元格式,將特征線方法與有限體積元方法相結合,采用Lagrange型分片二次多項式空間和分片常數函數空間分別作為試探函數和檢驗函數空間,并進行誤差分析,得到了最優階 H1模誤差估計結果.

作 者: 陳傳軍 袁益讓 Chen Chuanjun Yuan Yirang   作者單位: 陳傳軍,Chen Chuanjun(煙臺大學數學與信息科學系,煙臺,264005)

袁益讓,Yuan Yirang(山東大學數學與系統科學學院,濟南,250100) 

刊 名: 數學物理學報  ISTIC PKU 英文刊名: ACTA MATHEMATICA SCIENTIA  年,卷(期): 2008 28(3)  分類號: O241.82  關鍵詞: 半導體   特征線方法   有限體積元方法   誤差估計  

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