價層軌道平均能與摻雜二硼化鎂體系臨界電流密度的關(guān)系

本文研究了摻雜二硼化鎂超導(dǎo)體系的原子價層軌道平均能IEMI與臨界電流密度Jc之間的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)它們之間有較好的規(guī)律性.全部陽離子和陰離子的價層軌道平均能的平均值主要集中在10.12eV至11.29eV之間,陽離子與陰離子價層軌道平均能的平均值之差I(lǐng)DEI幾乎都集中在3.59eV至4.98eV之間.對于理解晶格上電子的靜電作用與超導(dǎo)機理的聯(lián)系是很有幫助的.

作 者： 楊國峰 孫愛民 張秀娥 王順青 張濤 黃國海 朱海濱 YANG Guo-feng SUN Ai-min ZHANG Xiu-e WANG Shun-qing ZHANG Tao HUANG Guo-hai ZHU Hai-bin   作者單位： 西北師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院,蘭州,730070  刊 名： 低溫物理學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分類號： O51  關(guān)鍵詞： 價層軌道平均能   摻雜二硼化鎂   臨界電流密度  

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