MgB2中Mn元素摻雜引起的無序

我們合成了Mn摻雜的MgB2的多晶樣品Mg1-xM2xB2(x=0,0.01,0.02,0.03,0.04),并測量了相關的超導電性,發(fā)現超導轉變溫度隨著Mn含量的增加急劇下降.晶格常數a、b基本上保持不變,而晶格常數c卻隨著摻雜量的增加而減小,通過對比Mn、Fe、Al摻雜引起的晶格常數c的變化,我們得出Mn是以三價的形式進人MgB2晶格,Mn摻雜引入的無序導致Raman峰寬隨著Mn摻雜量的增加而增大,同時也抵消了Mn3+引入的電子填充效應,從而使Raman峰位并沒有隨Mn摻雜量的增加而發(fā)生明顯移動.

作 者： 張尚明 石磊 張華榮 SHI Lei ZHANG Shang-ming ZHANG Hua-rong   作者單位： 張尚明,石磊,SHI Lei,ZHANG Shang-ming(中國科學技術大學微尺度物質科學國家實驗室,合肥,230026)

張華榮,ZHANG Hua-rong(河南大學物理與光電子信息學院,開封,475001) 

刊 名： 低溫物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS  年，卷(期)： 2008 30(3)  分類號： O51  關鍵詞： MgB2   Mn摻雜   RAMAN光譜  

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