紅外InGaAs/InP單光子探測器的溫度特性研究

分析了SAGM-APD單光子探測器暗電流產生的機理;得出工作溫度和偏置電壓是影響SAGM InGaAs/InP單光子探測器探測性能的重要因素.通過實驗,分析了三種APD在不同溫度下暗電流、光電流與偏置電壓的關系曲線,得出一些結論.

作 者： 李水峰 熊予瑩 王晗 曾思明 廖常俊 LI Shui-feng XIONG Yu-ying WANG Han ZENG Si-ming LIAO Chang-jun   作者單位： 李水峰,王晗,曾思明,LI Shui-feng,WANG Han,ZENG Si-ming(廣東工業大學實驗教學部,廣東,廣州,510006)

熊予瑩,XIONG Yu-ying(華南師范大學物理與電信工程學院,廣東,廣州,510006)

廖常俊,LIAO Chang-jun(華南師范大學信息光電子科技學院,廣東,廣州,510006) 

刊 名： 量子光學學報  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SINICA QUANTUM OPTICA  年，卷(期)： 2008 14(3)  分類號： O431  關鍵詞： 量子光學   單光子探測器   雪崩光電二極管   光電流   暗電流  

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