電荷屏蔽與恒星內部β衰變

針對低能反應和Gamow-Te11er共振躍遷,分析了在恒星內部電荷屏蔽對β衰變率的影響,對共振躍遷的分析是基于核的殼層模型.作為例子,詳細計算了電荷屏蔽對56Cr的β衰變的影響.結果表明:在較低溫度和高密度下,電荷屏蔽使β衰變率有明顯地增加.這對恒星晚期演化和超新星爆發研究可能會有重要的影響.

作 者： 孫慶強 黃增光 樸紅光 羅志全 SUN Qing-qiang HUANG Zeng-guang PIAO Hong-guang LUO Zhi-quan   作者單位： 孫慶強,黃增光,樸紅光,SUN Qing-qiang,HUANG Zeng-guang,PIAO Hong-guang(淮海工學院數理科學系,連云港,222005)

羅志全,LUO Zhi-quan(西華師范大學物理與電子信息學院,南充,637002) 

刊 名： 天文學報  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA ASTRONOMICA SINICA  年，卷(期)： 2007 48(1)  分類號： P148  關鍵詞： 基本粒子   中微子   核合成   恒星演化  

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