氟羥磷灰石通道離子的FTIR研究

以傅立葉變換紅外光譜為表征手段,對合成的氟羥磷灰石通道離子進行研究.結果發現:F-離子替換羥基后,羥基在3573和634 cm-1的振動吸收帶強度減弱,而在3542 、678 、715和736 cm-1左右出現新的振動譜帶,且隨F-離子含量不同出現規律性變化.新出現的譜帶數目與群論推測的結果相符,表明該譜帶屬于羥基基團;羥基振動吸收帶的變化,表明F-離子替換羥基的位置,形成[OH…F]氫鍵,使羥基的伸縮振動向低頻偏移,彎曲振動向高頻偏移.另外,通過3542～3573cm-1和715～736cm-1左右的譜帶相對面積比與F-含量的關系,可為F-離子替換羥基行為提供一些依據.

作 者： 許濤 劉羽 XU Tao LIU Yu   作者單位： 武漢工程大學材料科學與工程學院,武漢,430073  刊 名： 光散射學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING  年，卷(期)： 2007 19(1)  分類號： P578 O657  關鍵詞： 氟羥磷灰石   通道離子   FTIR   群論  

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