電離層突發(fā)E層與太陽活動的相關(guān)性

通過對1957-1990年3個太陽黑子周期期間不同緯度臺站的ES層的臨界頻率f0ES的觀測數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計分析,研究了太陽活動對ES層的強(qiáng)度與出現(xiàn)率的影響,主要結(jié)果為:f0ES的年平均值在白天與太陽活動呈強(qiáng)正相關(guān),在夜間呈負(fù)相關(guān). 同樣,ES的出現(xiàn)率的年變化與太陽活動的關(guān)系也是白天呈正相關(guān),夜間呈負(fù)相關(guān). 進(jìn)一步分析表明,上述白天ES層臨界頻率與太陽活動的正相關(guān)性的主要貢獻(xiàn)來自于常規(guī)E層與太陽活動的強(qiáng)烈相關(guān)性. 消除了背景E層電子密度的作用后,ES層的強(qiáng)度在白天與太陽活動呈微弱的正相關(guān),在夜間呈負(fù)相關(guān),其相關(guān)系數(shù)有比較規(guī)則的周日變化或半日變化.

作 者： 左小敏 萬衛(wèi)星   作者單位： 中國科學(xué)院武漢物理與數(shù)學(xué)研究所,武漢,430071  刊 名： 地球物理學(xué)報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF GEOPHYSICS  年，卷(期)： 2002 45(6)  分類號： P352  關(guān)鍵詞： 太陽活動   突發(fā)E層   相關(guān)系數(shù)  

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