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RF濺射ZnO薄膜工藝與結構研究
通過RF磁控濺射在Si(100)基片上制備了ZnO薄膜,并研究了磁控濺射中各生長參數,如襯底溫度、氧分壓及后處理工藝等因素對ZnO薄膜微結構、表面形貌與結晶取向的影響.結果表明:濺射溫度和氧分壓對薄膜的微結構與擇優取向有很大的影響,并對不同的濺射工藝進行了分析比較,從而確定了最佳濺射及后處理條件:RF濺射溫度小于300℃,功率為50 W,ψ(Ar:O2)為20:5,退火溫度550～600℃,并獲得了c軸擇優取向的ZnO薄膜.
張樹人,楊成韜,陳富貴,董加和,王升,ZHANG Shu-ren,YANG Cheng-tao,CHEN Fu-gui,DONG Jia-he,WANG Sheng(電子科技大學微電子與固體電子學院,四川,成都,610054)
刊 名： 電子元件與材料 ISTIC PKU 英文刊名： ELECTRONIC COMPONENTS AND MATERIALS 年，卷(期)： 2006 25(7) 分類號： N304.2 O484.1 TB43 關鍵詞： 無機非金屬材料 ZnO薄膜 RF磁控濺射 氧分壓 擇優取向【RF濺射ZnO薄膜工藝與結構研究】相關文章：
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