EB-PVD工藝中基板溫度對材料形成過程的影響

針對電子束物理氣相沉積(EB-PVD)設備的特點,研究基板溫度對材料形成過程的影響.首先建立薄膜生長的基本擴散模型,然后用嵌入原子法(EAM)計算擴散激活能,以入射粒子躍遷概率表征入射原子在表面上的穩定程度,研究基板溫度對低能Ni在Ni表面上擴散過程的影響.分別在較低(250～450K)和較高(750～1 000 K)兩種溫度下進行上述計算.研究結果表明,基板溫度對躍遷概率的影響存在臨界值,Ni為375 K;當基板溫度低于375 K時,基板溫度對躍遷概率影響很小,而當基板溫度高于375 K時,躍遷概率隨基板溫度增加呈指數增長;基板溫度較低(Ni低于375 K)時入射原子在表面上不擴散,易形成多孔疏松狀材料,而較高的基板溫度則有利于密實材料的形成.

作 者： 單英春 赫曉東 李明偉 李垚 Shan Yingchun He Xiaodong Li Mingwei Li Yao   作者單位： 哈爾濱工業大學復合材料與結構研究所,哈爾濱,150001  刊 名： 宇航材料工藝  ISTIC PKU 英文刊名： AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2006 36(1)  分類號： V25  關鍵詞： EB-PVD   薄膜生長   基板溫度   躍遷概率  

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