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MEO軌道輻射環(huán)境對(duì)Si太陽(yáng)電池影響研究

時(shí)間:2023-05-02 20:57:19 航空航天論文 我要投稿
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MEO軌道輻射環(huán)境對(duì)Si太陽(yáng)電池影響研究

研究MEO軌道Si太陽(yáng)電池在軌性能衰減規(guī)律,為太陽(yáng)陣設(shè)計(jì)提供參考依據(jù).利用位移損傷劑量的方法,研究了電子輻照對(duì)Si太陽(yáng)電池性能參數(shù)的影響,并分析了MEO軌道(高度20,000 km, 傾角56°)的電子和質(zhì)子輻射環(huán)境,及其穿過(guò)不同厚度的石英玻璃蓋片后的衰減譜.研究發(fā)現(xiàn),在沒(méi)有玻璃蓋片的情況下,MEO軌道一年期質(zhì)子通量會(huì)造成電池最大輸出功率嚴(yán)重衰退,約為初始值的28%,而一年期電子通量影響很小,僅造成約7%的下降.使用100μm的石英玻璃蓋片幾乎可以完全阻擋MEO軌道質(zhì)子輻射的影響,但是對(duì)電子輻射的阻擋作用很小.石英玻璃蓋片對(duì)于屏蔽低能質(zhì)子對(duì)電池輻照損傷是極其重要的.

MEO軌道輻射環(huán)境對(duì)Si太陽(yáng)電池影響研究

作 者: 高欣 楊生勝 王云飛 馮展祖 李凱 GAO Xin YANG Sheng-sheng WANG Yun-fei FENG Zhan-zu LI Kai   作者單位: 真空低溫技術(shù)與物理國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,中國(guó)空間技術(shù)研究院蘭州物理研究所,蘭州,730000  刊 名: 宇航學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名: JOURNAL OF ASTRONAUTICS  年,卷(期): 2010 31(3)  分類號(hào): V520.6  關(guān)鍵詞: 非電離能損   位移損傷劑量   太陽(yáng)電池   MEO   NIEL   Displacement damage dose   Solar cell   MEO  

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