一維光子晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)禁帶帶隙的影響研究

采用平面波法(PWM)計(jì)算一維光子晶體的帶隙結(jié)構(gòu).分別就構(gòu)造一維光子晶體結(jié)構(gòu)的高低折射膜層的介電常數(shù)及填充比(高折射膜層的厚度與晶體周期長(zhǎng)度的比值)對(duì)禁帶帶隙寬度的影響作出分析.通過(guò)最小二乘曲線和曲面擬合得到帶寬與介電常數(shù)或帶寬與填充比的函數(shù)關(guān)系圖,以確定最佳的禁帶帶寬,從而設(shè)計(jì)一維光子晶體的周期結(jié)構(gòu).對(duì)高低折射膜層為GaAs/空氣組成的一維光子晶體,介電常數(shù)比約為13/1,當(dāng)填充比為0.16時(shí),計(jì)算得禁帶帶寬為0.2564×2πc/Λ,禁帶的中心頻率為0.3478×2πc/Λ,與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)吻合.

作 者： 劉兵 竺子民 LIU Bing ZHU Zi-min   作者單位： 華中科技大學(xué),光電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,湖北,武漢,430074  刊 名： 應(yīng)用光學(xué)  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF APPLIED OPTICS  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號(hào)： O734.2 TN303-34  關(guān)鍵詞： 平面波法   光子禁帶   帶隙寬度   最小二乘曲線和曲面擬合  

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