高能質子單粒子翻轉效應的模擬計算

在分析質子與硅反應的基礎上,提出質子單粒子翻轉截面理論計算模型,建立了模擬計算方法.計算得到了不同能量的高能質子在存儲單元的靈敏區內沉積的能量.指出高能質子主要通過與硅反應產生的重離子在存儲單元靈敏區內沉積能量,產生電荷,導致單粒子效應,得到了單粒子翻轉截面與質子能量以及隨臨界電荷變化的關系.并將計算得到的單粒子翻轉截面與實驗數據進行了比較.

作 者： 賀朝會 陳曉華 李國政   作者單位： 西北核技術研究所,陜西,西安,710024  刊 名： 計算物理  ISTIC EI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS  年，卷(期)： 2002 19(4)  分類號： O571.42 O242.1  關鍵詞： 質子   單粒子翻轉   Monte Carlo模擬  

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