二氧化鈦和三氧化二鐵復合納米晶電極的光電化學性質

研究了以不同方式相互修飾的Fe2O3和TiO2納米晶電極的光電化學行為(包括離子的相互摻雜).在不同的入射光波長下,瞬態光電流譜顯示Ti4+摻雜的Fe2O3電極呈現n型半導體的特性(陽極光電流);以不同方式經Fe2O3包覆的TiO2電極由于能級的不匹配,在整個的波長測量范圍內沒有光響應;而對Fe3+離子摻雜的TiO2電極和經TiO2修飾(包覆或偶聯)的Fe2O3納米晶電極則呈現出p-n共存特性,甚至個別的電極表現出純粹的p型半導體的特性.這些現象可以從p型微區的形成得到解釋.

作 者： 王艷芹 程虎民 馬季銘 Wang Yanqin Cheng Humin Ma Jiming   作者單位： 北京大學化學系,北京,100871  刊 名： 物理化學學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA  年，卷(期)： 1999 15(3)  分類號： O6  關鍵詞： TiO2修飾的Fe2O3納米晶電極   Fe2O3修飾的TiO2納米晶電極   瞬態光電流   p-n共存特性  

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