離子注入誘導量子阱界面混合效應的光致熒光譜研究

采用多元芯片方法獲得了一系列不同離子注入劑量的GaAs/AlGaAs非對稱耦合量子阱單元,通過光致熒光譜測量,研究了單純的離子注入導致的界面混合效應.熒光光譜行為與有效質量理論計算研究表明,Al原子在異質結界面的擴散在離子注入過程中已基本完成,而熱退火作用主要是去除無輻射復合中心.

作 者： 陳貴賓 陸衛 繆中林 李志鋒 蔡煒穎 沈學礎 陳昌明 朱德彰 胡鈞 李明乾   作者單位： 陳貴賓,繆中林(中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室,上海,200083中國科學院上海原子核研究所核分析技術開放實驗室,上海,201800)

陸衛,李志鋒,蔡煒穎,沈學礎(中國科學院上海技術物理研究所紅外物理國家重點實驗室,上海,200083)

陳昌明,朱德彰,胡鈞,李明乾(中國科學院上海原子核研究所核分析技術開放實驗室,上海,201800) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(3)  分類號： O4  關鍵詞： 量子阱   離子注入   光致熒光譜   界面混合  

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