低壓MOCVD生長TiO2薄膜結構和電性能研究

采用低壓MOCVD法沉積生長了TiO2薄膜,研究了Si襯底取向、退火溫度、退火時間、退火氣氛對其結構和電性能的影響.結果表明,500℃下沉積生長于Si(111)和Si(100)上的TiO2薄膜為銳鈦礦相多晶膜,經過600℃以上退火處理后,均可轉變為純金紅石相結構.其中,Si(111)上的TiO2薄膜更容易轉變為金紅石相結構,而Si(100)上的TiO2薄膜,需要更高的退火溫度和更長的退火時間才能轉變為金紅石結構.結果還表明,退火氣氛中的氧分壓的大小對TiO2薄膜的結構無明顯的影響.

作 者： 許效紅 王民 侯云 王棟 王弘 王卓   作者單位： 許效紅(山東大學,晶體材料國家重點實驗室,山東,濟南,250100；山東大學,化學與化工學院,山東,濟南,250100)

王民,侯云,王棟,王弘,王卓(山東大學,晶體材料國家重點實驗室,山東,濟南,250100) 

刊 名： 功能材料  ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS  年，卷(期)： 2002 33(3)  分類號： O484  關鍵詞： 金屬有機化學氣相沉積   MOCVD   TiO2薄膜   金紅石  

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