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薄柵氧化層中陷阱電荷密度的測量方法
提出了一種測量陷阱電荷密度的實驗方法,該方法根據(jù)電荷陷落的動態(tài)平衡方程,利用恒流應力前后MOS電容高頻C-V曲線結合恒流應力下柵電壓的變化曲線求解陷阱電荷密度及位置等物理量.給出了陷阱電荷密度的解析表達式和相關參數(shù)的提取方法和結果.實驗表明這種方法方便而且具有較高的精度.
作 者： 劉紅俠 鄭雪峰 郝躍 作者單位： 西安電子科技大學微電子研究所,西安,710071 刊 名： 物理學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(1) 分類號： O4 關鍵詞： 薄柵氧化膜 經時擊穿 恒流應力 陷阱電荷密度【薄柵氧化層中陷阱電荷密度的測量方法】相關文章：
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