ZnTe:Cu多晶薄膜結構和電性質

用共蒸發法在室溫下制備了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等測試技術對樣品進行了表征,研究了摻Cu濃度和退火溫度對薄膜物相和晶粒度的影響,分析了薄膜表面的元素狀態.根據銅離子的變價行為對異常的電阻率溫度關系作了解釋.并確定了最佳摻銅濃度和退火溫度.

作 者： 吳曉麗 鄭家貴 郝瑞英 馮良桓 蔡偉 蔡亞平 張靜全 黎兵 李衛 武莉莉 WU Xiao-li ZHENG Jia-gui HAO Rui-ying FENG Liang-huan CAI Wei CAI Ya-ping ZHANG Jing-quan LI Bing LI Wei WU Li-li   作者單位： 四川大學材料科學與工程學院,成都,610064  刊 名： 功能材料與器件學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES  年，卷(期)： 2007 13(6)  分類號： O484  關鍵詞： ZnTe:Cu多晶薄膜   共蒸發系統   結構   電阻率～溫度   ZnTe:Cu polycrystalline thin films   co-evaporation system   structure   p～T  

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