雜質吸收對光子晶體缺陷模偏振態的影響

引入復折射率并利用特征矩陣法,研究了雜質的吸收對TE波和TM波缺陷模透射峰的影響.得出:雜質的消光系數對TE波和TM波的缺陷模透射峰都有顯著的影響,但對TE波缺陷模的影響比對TM波缺陷模的影響更為明顯.當消光系數一定時,TE波的缺陷模透射峰隨入射角的增大而迅速減小,而TM波的缺陷模透射峰隨入射角的增大而增大.利用這一特性可以設計光子晶體偏振濾波器.

作 者： 劉啟能 LIU Qi-neng   作者單位： 重慶工商大學,理學院,重慶,400067  刊 名： 半導體光電  ISTIC PKU 英文刊名： SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS  年，卷(期)： 2007 28(6)  分類號： O436  關鍵詞： 光子晶體   特征矩陣   消光系數   缺陷模   偏振態  

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