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溫梯法生長76mm Ce:YAG閃爍晶體的研究
首次采用溫度梯度法(TGT)成功生長了直徑為76mm高光學質量的Ce:YAG高溫閃爍晶體,采用ICP-AES測試了Ce離子在Ce:YAG晶體中的分凝系數約為0.082.在室溫下,測試了原生態Ce:YAG晶體的吸收光譜和X射線激發發射光譜(XEL).吸收光譜顯示了Ce3+離子的3個特征吸收帶,對應的中心波長分別為223nm,340nm及460nm;XEL發射譜表明Ce:YAG的發射峰為550nm,能與硅光二極管有效地耦合.
徐軍(中國科學院上海光學精密機械研究所,上海,201800;上海中科嘉浦光電子材料有限公司,上海,201821)
徐月泉,周永宗(上海中科嘉浦光電子材料有限公司,上海,201821)
刊 名： 人工晶體學報 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS 年，卷(期)： 2003 32(4) 分類號： O782 關鍵詞： 無機閃爍晶體 Ce:YAG 溫度梯度法 光譜測量【溫梯法生長76mm Ce:YAG閃爍晶體的研究】相關文章：
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