欠摻雜氧化物超導體的比熱測量發現正常態有電子配對

本研究在制備出系列摻雜的高質量氧化物超導體單晶Bi_2Sr_(2-x)La_xCuO_6的基礎上,開展了系統的比熱測量工作,發現欠摻雜的高溫超導體的比熱跳變高度很矮,遠遠低于BCS理論預言的值,而且越到欠摻雜,比熱跳變高度越矮.有趣的是,在轉變溫度以上很高的溫區仍然有一個長長的尾巴,所計算的熵在超導轉變溫度處不守恒.此外,當把超導轉變以上的部分均考慮在內時,熵會自動守恒.聯想到從過摻雜到欠摻雜的連續過渡規律,可以認定,欠摻雜的樣品在遠遠高于超導轉變溫度的區域已經存在電子庫珀對.

作 者： 聞海虎 Wen Haihu   作者單位： 超導國家重點實驗室,中國科學院物理研究所,北京,100190  刊 名： 中國基礎科學  ISTIC 英文刊名： CHINA BASIC SCIENCE  年，卷(期)： 2009 11(6)  分類號： O511  關鍵詞： 氧化物超導體   配對機制   贗能隙   預配對   cuprate superconductors   pairing mechanism   pseudogap   preformed pair  

【欠摻雜氧化物超導體的比熱測量發現正常態有電子配對】相關文章：

MgB2超導體含碳摻雜研究進展04-26

Rb摻雜C60單晶的相衍變和電子態04-26

欠娘家的不欠婆家的說說11-12

表揚，別摻雜音_1000字05-01

N 摻雜ZnO薄膜的接觸特性04-26

In摻雜納米ZnO殺菌性能的研究04-26

X射線存儲材料Si4+摻雜BaFBr:Eu2+中電子陷阱的研究04-26

鋅、鈷氧化物及復合氧化物光催化降解活性染料的研究04-27

Ag摻雜對ZnO薄膜的光電性能影響04-26

納米ZnO薄膜制備及液態源摻雜04-27