單根In摻雜的n-ZnO納米線(xiàn)/p+-Si異質(zhì)結(jié)的紫外電致發(fā)光

采用化學(xué)氣相沉積的方法在In0.1Ga0.9N襯底上生長(zhǎng)出In摻雜的n-ZnO納米線(xiàn)陣列.電學(xué)輸運(yùn)測(cè)量得到單根n-ZnO納米線(xiàn)的電阻率為0.001 Ω cm,比同樣方法在GaN襯底上生長(zhǎng)的ZnO納米線(xiàn)低約20倍.這個(gè)結(jié)果表明來(lái)自于In0.1Ga0.9N襯底中的In原子在高溫生長(zhǎng)過(guò)程中可能被摻入ZnO納米線(xiàn).制備成功單根n-ZnO納米線(xiàn)/p+-Si異質(zhì)結(jié)構(gòu)并研究了其電致發(fā)光特性.室溫下電致發(fā)光光譜中可以看到一個(gè)窄的ZnO激子峰(約380 nm)和一個(gè)中心位于700 nm 的來(lái)自Si襯底表面自然氧化硅發(fā)光中心的發(fā)光峰.

作 者： 霍海濱 楊衛(wèi)全 戴倫 馬仁敏 秦國(guó)剛 HUO Haibin YANG Weiquan DAI Lun MA Renmin QIN Guogang   作者單位： 霍海濱,楊衛(wèi)全,馬仁敏,HUO Haibin,YANG Weiquan,MA Renmin(北京大學(xué)物理學(xué)院,北京,100871)

戴倫,秦國(guó)剛,DAI Lun,QIN Guogang(北京大學(xué)物理學(xué)院,北京,100871;介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100871) 

刊 名： 北京大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版）  ISTIC PKU 英文刊名： ACTA SCIENTIARUM NATURALIUM UNIVERSITATIS PEKINENSIS  年，卷(期)： 2008 44(3)  分類(lèi)號(hào)： O475  關(guān)鍵詞： 電致發(fā)光   氧化鋅納米線(xiàn)   硅   異質(zhì)結(jié)  

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