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Ag納米顆粒對富Ag二氧化硅薄膜電致發光譜的影響
摘要：利用磁控濺射和熱退火在硅襯底上制備了Ag納米顆粒鑲嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶ Ag),制作了電致發光結構ITO/SiO2∶Ag/p-Si,觀測到了可見區的電致發光.發現薄膜中的Ag納米顆粒不僅成倍地提高器件的發光強度,還明顯地移動電致發光的峰位.Ag含量越高,顆粒越大,發光峰位越紅移.氧化硅中的發光中心與納米Ag間的電磁相互作用,可用來定性解釋這一實驗結果.這種效應可把低效發光的材料轉換為相對高效的發光材料. 作者： 冉廣照文杰尤力平徐萬勁 Author： RAN Guang-zhao WEN Jie YOU Li-ping XU Wan-jin 作者單位： 人工微結構和介觀物理國家重點實驗室,北京大學物理學院,北京100871 期 刊： 光譜學與光譜分析 ISTICEISCIPKU Journal： Spectroscopy and Spectral Analysis 年，卷(期)： 2011, 31(9) 分類號： O482.3 關鍵詞： 電致發光 Ag納米顆粒 局域表面等離激元 機標分類號： O43 TN2 機標關鍵詞： 納米顆粒 二氧化硅薄膜 電致發光譜 電磁相互作用 實驗結果 發光中心 發光強度 發光結構 發光峰位 發光材料 定性解釋 磁控濺射 SiO2 熱退火 硅襯底 轉換 制作 制備 移動 效應 基金項目： 國家自然科學基金，國家(973計劃)項目【Ag納米顆粒對富Ag二氧化硅薄膜電致發光譜的影響】相關文章：
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