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交流量熱法測(cè)量SiO2薄膜的熱擴(kuò)散率
介紹了交流量熱法測(cè)量薄膜熱擴(kuò)散率的原理和系統(tǒng)組建.用脈寬為納秒級(jí)的超短激光脈沖作為熱源,測(cè)量了Si襯底上厚度為100nm和500nm的SiO2薄膜水平方向上的熱擴(kuò)散率.實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該結(jié)構(gòu)的熱擴(kuò)散率比SiO2體材料的要小,并且隨著SiO2層厚度的減小,熱擴(kuò)散率也減小.
作 者： 陳海軍 馬靈芝 唐禎安 作者單位： 大連理工大學(xué),電子系,遼寧,大連,116023 刊 名： 功能材料 ISTIC EI PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年，卷(期)： 2002 33(5) 分類(lèi)號(hào)： O484.5 TK121 TK124 關(guān)鍵詞： 交流量熱法 薄膜 熱擴(kuò)散率【交流量熱法測(cè)量SiO2薄膜的熱擴(kuò)散率】相關(guān)文章：
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