SiO2載體表面原位合成MCM-41的結(jié)構(gòu)特征

以溶液硅源和表面硅源兩種合成路線在SiO2顆粒表面進(jìn)行了MCM-41的原位合成,結(jié)果發(fā)現(xiàn)以兩種方式均可得到MCM-41的有序結(jié)構(gòu).溶液硅源原位合成MCM-41的長(zhǎng)程結(jié)構(gòu)較好,兩種硅源原位合成的MCM-41均能夠在脫除模板劑過(guò)程中保持其長(zhǎng)程有序結(jié)構(gòu).表面硅源原位合成MCM-41的孔徑分布較窄,最可幾孔徑為3.81nm.本文還考察了OH/CTABr及SiO2/OH比對(duì)表面硅源原位合成MCM-41長(zhǎng)程結(jié)構(gòu)特征的影響.

作 者： 何靜 段雪 李成岳 朱月香   作者單位： 何靜,段雪,李成岳(北京化工大學(xué)可控化學(xué)反應(yīng)科學(xué)與技術(shù)基礎(chǔ)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京,100029)

朱月香(北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院,北京,100871) 

刊 名： 無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC SCI PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY  年，卷(期)： 2002 18(2)  分類(lèi)號(hào)： O613.72  關(guān)鍵詞： MCM-41   原位合成   SiO2載體表面  

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