高溫下金屬薄膜生長初期的模擬研究

采用實際的生長模型和物理參量，用Monte Carlo方法對高溫下金屬薄膜的生長過程進行了模擬研究.綜合考慮了原子沉積、擴散、成核、生長和擴散原子的再蒸發、原子沿島周界擴散和島的合并等眾多過程后，模擬得到與實驗結果相當一致的薄膜生長形貌及其相應的定量結果.通過動態統計薄膜生長過程中的島數目及薄膜生長率，得到實驗中不易直接獲得的高溫下薄膜生長的許多細節，如島數目和薄膜生長率隨表面溫度、覆蓋度變化的詳細情況等.

作 者： 吳鋒民 施建青 吳自勤   作者單位： 吳鋒民(浙江工業大學科學研究中心;浙江工業大學應用物理系)

施建青(浙江工業大學應用物理系,)

吳自勤(中國科學技術大學天文與應用物理系,) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2001 50(8)  分類號： O484  關鍵詞： 薄膜   MonteCarlo模擬   成核   島密度   薄膜生長率  

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