Sc12X團簇(X=B,C,N,Al,Si,P)的電子結構和穩定性

基于第一性原理,在密度泛函理論框架下,用廣義梯度近似(GGA)研究二十面體Sc12X(X=B、C、N、Al、Si、P)中性和荷電團簇的電子結構和穩定性,系統計算了它們的基態束縛能(BE)、原子間平衡間距、最高占據軌道(HOMO)與最低占據軌道(LUMO)之間的能隙、局域電荷以及HOMO電子構型.研究表明,用C、Si原子或荷電后的B、N、Al、P離子分別替代團簇Sc13中心原子可以使其成為穩定的結構.Sc12X團簇束縛能改變的原因在于摻雜改變了中心原子或離子與表面原子的軌道雜化.

作 者： 程正富 肖緒洋 CHENG Zheng-fu XIAO Xu-yang   作者單位： 重慶文理學院物理與信息工程系,重慶,402160  刊 名： 原子與分子物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(3)  分類號： O561.1 O641  關鍵詞： Sc12X團簇   密度泛函   電子結構   穩定性  

【Sc12X團簇(X=B,C,N,Al,Si,P)的電子結構和穩定性】相關文章：

(BN)n團簇的結構和穩定性04-26

小分子硫原子團簇正離子的結構穩定性04-27

Lun(n=2～36)團簇基態結構的遺傳算法研究04-27

遺傳算法研究Ptn(n=2～57)團簇的基態結構特性04-26

CnN4(n=2～10)團簇的結構和性質的密度泛函理論研究04-26

第一性原理計算MgBeN(N=1-7)團簇的最低能量結構及其電子性質04-26

試論沒有N的N的結構和功能04-26

三種(N-)N湮沒勢和(p-)+12C非彈性散射04-26

DFT方法研究LaNi5M(M=0,D,Al)的晶體結構和電子結構04-26

單根In摻雜的n-ZnO納米線/p+-Si異質結的紫外電致發光04-26