C+注入a-SiNx:H薄膜的微結(jié)構(gòu)及光發(fā)射的研究

常溫下對低壓化學(xué)氣相沉積制備的納米硅鑲嵌結(jié)構(gòu)的a-SiNx:H 薄膜進行低能量高劑量的C+注入后,在800～1 200 ℃高溫進行常規(guī)退火處理.X射線光電子能譜(XPS)及 X射線光電子衍射(XRD)等實驗結(jié)果表明,當(dāng)退火溫度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分結(jié)構(gòu)由SiCxNy轉(zhuǎn)變成SiNx和SiC的混合結(jié)構(gòu).低溫下利用真空紫外光激發(fā),獲得分別來自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致發(fā)光光譜.隨著退火溫度的升高,薄膜的結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化,發(fā)光光譜也有相應(yīng)的改變.

作 者： 陳超 劉渝珍 張國斌 徐彭壽 符義兵 董立軍 陳大鵬 CHEN Chao LIU Yu-zhen ZHANG Guo-bin XU Peng-shou FU Yi-bing DONG Li-jun CHEN Da-peng   作者單位： 陳超,劉渝珍,CHEN Chao,LIU Yu-zhen(中國科學(xué)院,研究生院,北京,100049)

張國斌,徐彭壽,符義兵,ZHANG Guo-bin,XU Peng-shou,FU Yi-bing(中國科學(xué)技術(shù)大學(xué),安徽,合肥,230026)

董立軍,陳大鵬,DONG Li-jun,CHEN Da-peng(中國科學(xué)院,微電子研究所,北京,100029) 

刊 名： 發(fā)光學(xué)報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O482.31  關(guān)鍵詞： SiCN   C+離子注入   高溫退火   X射線光電子能譜(XPS)   光致發(fā)光(PL)  

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