VO2晶體電子結構及其摻雜的第一性原理研究

運用密度泛函平面波贗勢(PWP)和廣義梯度近似(GGA)方法,對二氧化釩(VO2)兩種不同晶體電子結構進行了計算.研究了低溫單斜晶型和高溫四方晶型結構的VO2電子態密度(DOS)和能帶(energy band)結構,通過分析發現,四方晶的金屬性比較明顯,這是由于電子態密度和能帶結構分析結果表明不同特性產生的原因是V原子的3d電子貢獻不同導致的.本文中我們還將部分O原子替換為F原子后對單斜晶替位摻雜進行了的計算討論,本文的計算結果都較好地符合實驗結果,表明密度泛函平面波贗勢和廣義梯度近似方法可以用來描述VO2的結構和性質.我們認為,這種方法應用于描述氧化物的電子結構和性質是一種新的探索.

作 者： 胡永金 趙江 崔磊 滕玉永 曾祥華 HU Yong-jin ZHAO Jiang CUI Lei TENG Yu-yong ZENG Xiang-hua   作者單位： 揚州大學物理科學與技術學院,揚州,225002  刊 名： 原子與分子物理學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS  年，卷(期)： 2007 24(5)  分類號： O481.1  關鍵詞： 態密度   能帶結構   單斜晶   四方晶  

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