FeCuNbSiB多層膜的磁化特性與巨磁阻抗效應

用射頻磁控濺射法制備了FeCuNbSiB多層膜,制備態樣品的GMI效應在驅動電流頻率為12MHz時達到最大,為44.3%.利用復數磁導率和等效電路討論了該多層膜的磁化過程,及與GMI效應的關系.外加直流磁場抑制磁疇運動,在等效電路中與抵消并聯電路相關.樣品磁化的特征弛豫頻率在12MHz左右,與出現最大磁阻抗變化的頻率接近.

作 者： 林宏 袁望治 趙振杰 程金科 辛宏梁 吳志明 阮建中 楊燮龍 LIN Hong YUAN Wang-zhi ZHAO Zhen-jie CHENG Jin-ke XIN Hong-liang WU Zhi-ming RUAN Jian-zhong YANG Xie-long   作者單位： 華東師范大學物理系,上海,200062  刊 名： 功能材料與器件學報  ISTIC PKU 英文刊名： JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES  年，卷(期)： 2007 13(6)  分類號： O482.5 O442 O484  關鍵詞： 巨磁阻抗效應   磁導率   弛豫頻率   等效電路  

【FeCuNbSiB多層膜的磁化特性與巨磁阻抗效應】相關文章：

橫向巨磁阻抗效應中磁導率張量的理論研究04-30

Pt97.4Mn2.6/Co多層膜的磁性與磁光性質研究04-28

軟X射線多層膜與衰減膜研究04-28

非晶態合金磁阻抗效應的演示與實驗04-29

磁光材料的典型效應及其應用04-26

磁光調制的模擬與特性分析04-29

Fe/Mo多層膜的微觀結構與應力研究04-26

磁熱效應及磁制冷材料的選擇依據04-29

均勻軟X射線多層膜制備方法研究04-28

室溫下制備的ZnO/Ag/ZnO多層膜的性能04-29