均勻軟X射線多層膜制備方法研究

介紹了基于速度調(diào)制技術(shù)的均勻軟X射線多層膜制備方法,并采用該方法在直徑為150mm的平面硅基板上制備出Mo/Si多層膜,其中心波長為13.5nm,膜厚空間非均勻性優(yōu)于1%,較轉(zhuǎn)盤勻速濺射方法制備的多層膜膜厚空間均勻性提高了近6倍.

作 者： 金春水 林強 馬月英 裴舒 曹健林   作者單位： 中國科學(xué)院,長春光學(xué)精密機械與物理研究所,吉林,長春,130022  刊 名： 強激光與粒子束  ISTIC EI PKU 英文刊名： HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS  年，卷(期)： 2003 15(5)  分類號： O434.14  關(guān)鍵詞： 軟X射線   多層膜   磁控濺射   均勻性  

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