硅基氮化鋁薄膜的AFM和XPS分析

在Si(111)基底上利用直流磁控濺射系統沉積氮化鋁(AlN)薄膜,X-射線衍射分析薄膜結構和取向,原子力顯微鏡分析薄膜表面形貌,X-射線光電子能譜分析薄膜的元素化學價態和組分.結果表明,生長的AlN薄膜具有良好的(100)擇優取向,其半峰寬為0.3°.薄膜表面粗糙度為0.23 nm,表面均方根粗糙度為0.30 nm,z軸方向最高突起約3.25 nm.薄膜表面組分為Al、N、O、C元素,其中C、O主要以物理吸附方式存在于薄膜表面,而Al、N元素的存在方式主要是Al-N化合物,深度剝蝕分析表明獲得的AlN薄膜接近其化學計量比.

作 者： 劉文 王質武 楊清斗 衛靜婷 LIU Wen WANG Zhi-wu YANG Qing-dou WEI Jing-ting   作者單位： 深圳大學,光電子學研究所,廣東省光電子器件與系統重點實驗室,光電子器件與系統教育部重點實驗室,廣東,深圳,518060  刊 名： 壓電與聲光  ISTIC PKU 英文刊名： PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS  年，卷(期)： 2007 29(6)  分類號： O484  關鍵詞： 氮化鋁   直流磁控濺射   原子力顯微鏡   X-射線光電子能譜   化學計量比  

【硅基氮化鋁薄膜的AFM和XPS分析】相關文章：

氮化鋁薄膜光學常數和結合力測試分析04-29

AFM研究PCL薄膜的結晶形態04-29

摻雜納米硅薄膜的生長特性04-29

射頻功率對硼碳氮薄膜的組分和厚度的影響04-27

摻磷納米硅薄膜的微結構04-29

含納米硅和納米鍺的氧化硅薄膜光致發光的比較研究?04-27

多晶硅納米薄膜電學特性的實驗研究04-28

聚硅氯化鋁PASC的制備及混凝效果研究04-25

用多晶硅生產尾氣制備聚合氯化鋁04-26

用IR及XPS研究Photo-CVD SiO2薄膜特性04-28