基片溫度和退火對CdIn2O4薄膜光學(xué)性質(zhì)和載流子濃度的影響

對射頻反應(yīng)性濺射Cd-In合金靶制備的透明導(dǎo)電CdIn2O4薄膜,研究了基片溫度及沉積后在氬氣流中退火對薄膜的透射、反射和吸收光譜,光學(xué)常數(shù)和載流子濃度的影響.結(jié)果表明:提高基片溫度減少了薄膜的載流子濃度,退火增加了薄膜的載流子濃度.隨著基片溫度提高,薄膜折射率n和消光系數(shù)κ的短波峰將逐漸藍(lán)移,而退火使其出現(xiàn)紅移.基片溫度和退火對薄膜光學(xué)常數(shù)的影響與其對薄膜載流子濃度的影響是一致的.在制備CdIn2O4這樣一種對于沉積方法和沉積條件極為敏感的透明導(dǎo)電薄膜的沉積過程中,這一現(xiàn)象對于實(shí)時監(jiān)控具有極為重要的意義.

作 者： 李斌 曾菱 張鳳山   作者單位： 李斌,張鳳山(中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所,上海,200083)

曾菱(公安海警高等專科學(xué)校,寧波,315821) 

刊 名： 光學(xué)學(xué)報(bào)  ISTIC EI PKU 英文刊名： ACTA OPTICA SINICA  年，卷(期)： 2002 22(11)  分類號： O484  關(guān)鍵詞： CdIn2O4薄膜   基片溫度   退火   光學(xué)性質(zhì)   載流子濃度  

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