FeSiB薄膜的巨磁阻抗和應力阻抗效應研究

軟磁材料中存在巨磁阻抗(giant magneto-impedance,GMI)效應以及與之相同來源的應力阻抗(stress-impedance,SI)效應,利用這兩種效應可以制成具有高靈敏度的微型化的磁場和應力-應變傳感器.本文基于傳感器的實際應用,對圖形化的、較大磁致伸縮的FeSiB單層和多層薄膜的巨磁阻抗和應力阻抗效應中頻率和退火的影響進行了研究.結果表明,對于兩種效應,經過退火處理的單層和多層膜均可在較低的頻率下得到較高的靈敏度,而多層膜中的應力阻抗效應將為新型高靈敏傳感器的設計和研制開辟一條嶄新的途徑.

作 者： 茅昕輝 禹金強 周勇 吳茂松 蔡炳初   作者單位： 上海交通大學微納米科學技術研究院,薄膜與微細技術教育部重點實驗室,上海,200030  刊 名： 真空科學與技術學報  ISTIC EI PKU 英文刊名： VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY  年，卷(期)： 2002 22(6)  分類號： O484.52 O484.4  關鍵詞： 巨磁阻抗   應力阻抗   FeSiB   薄膜   多層膜  

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