二氧化釩的電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)計(jì)算

本文使用基于量子力學(xué)第一性原理的CASTEP程序包,計(jì)算了單斜結(jié)構(gòu)和金紅石結(jié)構(gòu)的二氧化釩(VO2)的電子結(jié)構(gòu)、介電常數(shù)、吸收系數(shù)、折射率等光學(xué)性質(zhì).介電函數(shù)的虛部、吸收光譜、折射率等它們的峰值位置存在一一對(duì)應(yīng)關(guān)系,這表明了它們之間存在著內(nèi)在的聯(lián)系,它們都與電子從價(jià)帶到導(dǎo)帶的躍遷吸收有關(guān),這為從物理本質(zhì)上理解二氧化釩的光學(xué)性質(zhì)提供了重要的依據(jù).計(jì)算結(jié)果與實(shí)驗(yàn)結(jié)果符合得很好.

作 者： 宋婷婷 何捷 孟慶凱 孫鵬 SONG Ting-ting HE Jie MENG Qing-kai SUN Peng   作者單位： 四川大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,輻射物理及技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,成都,610064  刊 名： 光散射學(xué)報(bào)  ISTIC PKU 英文刊名： THE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING  年，卷(期)： 2008 20(2)  分類號(hào)： O731  關(guān)鍵詞： VO2   電子結(jié)構(gòu)   光學(xué)性質(zhì)  

【二氧化釩的電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)計(jì)算】相關(guān)文章：

硅襯底上Zn1-xMgxO薄膜的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì)04-26

光學(xué)交會(huì)軌道計(jì)算04-26

釩渣中釩的浸出特性04-25

垂直堆垛InAs量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)04-26

第一性原理計(jì)算MgBeN(N=1-7)團(tuán)簇的最低能量結(jié)構(gòu)及其電子性質(zhì)04-26

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)教案(四)04-25

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)教案(二)04-25

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)教案(三)04-25

晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)教案(一)04-25

磁控共濺射GaAs/SiO2細(xì)小納米顆粒鑲嵌材料的結(jié)構(gòu)和非線性光學(xué)性質(zhì)?04-27